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DDR2
大容量DDR2是高速、高存儲密度的同步動態(tài)隨機訪問數(shù)據(jù)存儲器，由1片或多片DDR2基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域嵌入式計算機系統(tǒng)。
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產(chǎn)品特性 |
總?cè)萘浚?/span>1Gb~8Gb;
頻率：最高達333MHz；
位寬：8bit、16bit、72bit；
電源電壓：1.8V；
典型產(chǎn)品輻照指標：
TID: 100 krad（Si）
SEL: ＞62.5 Mev·cm2/mg
SEU: 2 Mev·cm2/mg
工作溫度：
0℃~+70℃
-40℃~+85℃
-40℃~+105℃
|
產(chǎn)品列表 |
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# |
DDR2 |
存儲 容量 |
存儲 組織 |
電壓 |
頻率 |
抗輻射 |
封裝 |
溫度 等級 |
篩選 等級 |
質(zhì)量 等級 |
||
|
TID 1 |
SEL 2 |
SEU 3 |
||||||||||
|
1 |
VD2D1G08xS74xx1U6 |
1Gbit |
128M*8 |
1.8V |
333MHz |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP74 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
2 |
VD2D2G16XB95XX2U6 |
2Gbit |
128M*16 |
1.8V |
333MHz |
150 |
TBD |
TBD |
BGA95 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
3 |
VD2D8G08XS88XX8U6 |
8Gbit |
1G*8 |
1.8V |
266MHz |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP88 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
|
4 |
VD2D4G72xB191xx3U6 |
4Gbit |
64M*72 |
1.8V |
333MHz |
100 |
62.5 |
2 |
BGA191 |
E、I、S |
E、B、S |
EE、IB、SS |
1、TID: Total Dose（Krads(Si)）
2、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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相關(guān)下載 |
| VD2D1G08xS74xx1U6 user manual.pdf |  VD2D1G08xS74xx1U6 user manual.pdf |
| VD2D2G16XB95XX2U6 user manual.pdf | VD2D2G16XB95XX2U6 user manual.pdf |
| VD2D8G08XS88XX8U6 user manual.pdf | VD2D4G72xx191xx3U6 user manual.pdf |
| VD2D4G72xB191xx3U6 user manual.pdf | VD2D8G08XS88XX8U6 user manual.pdf |
| 立體封裝模塊自動回流焊裝配規(guī)范.pdf | 立體封裝模塊自動回流焊裝配規(guī)范_opt.pdf |
| 立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf | 立體封裝模塊手工裝配工藝建議.pdf |
| 立體封裝模塊加固建議.pdf | 立體封裝模塊加固建議_opt.pdf |
| 立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf | 立體封裝模塊焊接后清洗建議.pdf |
4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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