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SDRAM

大容量SDRAM是高存儲密度的動態(tài)數(shù)據(jù)存儲器,由一個或多個SDRAM基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域嵌入式計算機(jī)系統(tǒng)

  產(chǎn)品特性


總?cè)萘浚?/span>512M~4G;

訪問速度:最快達(dá)7.5ns;

數(shù)據(jù)寬度:8位,16位,32位,40位,48位;

電源電壓:3.3V

典型產(chǎn)品輻照指標(biāo):

TID: 50kradSi

SEL: 80Mev·cm2/mg

SEU: 1Mev·cm2/mg

工作溫度:-55~105℃。

 

   產(chǎn)品列表


#

SDRAM

存儲容量(bit)

存儲組織

電壓

訪問速度

抗輻射

封裝

溫度等級

篩選等級

質(zhì)量等級

 

 

 

 

 

 

TID 1

SEL 2

SEU 3

 

 

 

 

1

VDSD1G16xS58xx2V75

1G

64M*16

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP58

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

2

VDSD1G32xS70xx2V75

1G

32M*32

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP70

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

3

VDSD1G32xS70xx2V75-

1G

32M*32

3.3V

7.5ns

>50

TBD

TBD

SOP70

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

4

VDSD2G08xS54xx4V75

2G

256M*8

3.3V

7.5ns

>50

TBD

TBD

SOP54

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

5

VDSD2G32xS70xx4V75

2G

64M*32

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP70

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

6

VDSD2G40xS70xx5V75

2G

64M*40

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP70

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

7

VDSD2G72xB134xx5V75

2G

32M*72

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

BGA134

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

8

VDSD3G48xQ114xx6V75

3G

64M*48

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

QFP114

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

9

VDSD4G08xS54xx8V75-

4G

512M*8

3.3V

7.5ns

>50

TBD

TBD

SOP54

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

10

VDSD4G08xS54xx8V75

4G

512M*8

3.3V

7.5ns

>50

TBD

TBD

SOP54

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

11

VDSD4G08xS58xx8V75

4G

512M*8

3.3V

7.5ns

>50

>80

2

SOP58

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

12

VDSD4G16xS62xx8V75

4G

256M*16

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP62

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS

13

VDSD512M16xS54xx1V75

512M

32M*16

3.3V

7.5ns

>50

>80

1

SOP54

E、I、S

E、B、S

EE、IB、SS


1、TID: Total DoseKrads(Si)

2、SEL: LET ThresholdMev.cm2/mg

3、SEU:SEU Threshold Mev.cm2/mg

 

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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb

  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暫無記錄
  • Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
    暫無記錄
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