- Part Number Configuration Voltage Clock Rate / Access time Package Temperature SCD#
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大容量NORFLASH是高存儲密度的閃存存儲器,由一個或多個NOR FLASH基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制等領(lǐng)域的飛機(jī)、衛(wèi)星、飛船、車輛、地面裝備等的計算機(jī)系統(tǒng)中。
產(chǎn)品特性 |
總?cè)萘浚?span>64M~512M;
訪問速度:最快達(dá)90ns;7.5ns;
數(shù)據(jù)寬度: 4位,8位,16位;
電源電壓:3.3V;
典型產(chǎn)品輻照指標(biāo):
TID: >15krad(Si)
SEL: >99.8 Mev·cm2/mg
SEU: >4.7 Mev·cm2/mg
工作溫度:-55℃~125℃。
產(chǎn)品列表 |
# |
NOR FLASH |
存儲容量(bit) |
存儲組織 |
電壓 |
訪問速度 |
抗輻射 |
封裝 |
溫度等級 |
篩選等級 |
質(zhì)量等級 |
||
|
|
|
|
|
|
TID 1) |
SEL 2) |
SEU 3) |
|
|
|
|
1 |
VDRF2G08xS60xx4V90 |
2G |
256M*8 |
3.3V |
90ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP60 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
VDRF64M16xS54xx1V90 |
64M |
4M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
2 |
VDRF128M16xS54xx2V90 |
128M |
8M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
3 |
VDRF256M16xS54xx4V90 |
256M |
16M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
4 |
VDRF256M16xS54xx4V90-Ⅱ |
256M |
16M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP54 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
5 |
VDRF512M16xS56xx8V90 |
512M |
32M*16 |
3.3V |
90ns |
>15 |
>99.8 |
>4.7 |
SOP56 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
|
VDSF512M04XS18XX2V133 |
512M |
128M*4 |
3.3V |
7.5ns |
TBD |
TBD |
TBD |
SOP18 |
E,I,M |
E,B,M,S |
EE, IB, MM, MS |
1)、TID:Total Dose(Krads(Si))
2)、SEL: LET Threshold(Mev.cm2/mg)
3)、SEU:SEU Threshold (Mev.cm2/mg)
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