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EEPROM
大容量EEPROM是高存儲密度的電可擦除、可編程數(shù)據(jù)存儲器，由一個或多個EEPROM基片采用立體封裝工藝堆疊而成。廣泛應(yīng)用于航空航天領(lǐng)域嵌入式計算機系統(tǒng)。
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產(chǎn)品特性 |
總?cè)萘浚?/span>1M~8M;
訪問速度：最快達(dá)250ns（3.3V），150ns（5.0V）；
數(shù)據(jù)寬度：8位，32位，40位；
電源電壓：3.3V，5V；
典型產(chǎn)品輻照指標(biāo)：
TID: TBD
SEL: TBD
SEU: TBD
工作溫度：-55℃~125℃。
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產(chǎn)品列表 |
| # | EEPROM | 存儲容量（bit） | 存儲組織 | 電壓 | 訪問速度 | 抗輻射 | 封裝 | 溫度等級 | 篩選等級 | 質(zhì)量等級 | ||
| TID 1) | SEL 2) | SEU 3) | ||||||||||
| 1 | VDEE1M08xS40xx1C250-II | 1M | 128k*8 | 5V | 150 ns | TBD | TBD | TBD | SOP40 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 2 | VDEE1M08xS40xx1V250-II | 1M | 128k*8 | 3.3V | 250 ns | TBD | TBD | TBD | SOP40 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 3 |
VDEE2M08xS40xx2C250-II |
2M |
256k*8 |
5V | 150 ns | TBD | TBD | TBD | SOP40 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 4 |
VDEE2M08xS40xx2V250-II |
2M |
256k*8 |
3.3V | 250 ns | TBD | TBD | TBD | SOP40 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 5 |
VDEE4M08xS40xx4C250-II |
4M |
512k*8 |
5V | 150 ns | TBD | TBD | TBD | SOP40 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 6 |
VDEE4M08xS40xx4V250-II |
4M |
512k*8 |
3.3V | 250 ns | TBD | TBD | TBD | SOP40 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 7 |
VDEE4M32xS64xx4C250-II |
4M |
128k*32 |
5V | 150 ns | TBD | TBD | TBD | SOP64 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 8 |
VDEE4M32xS64xx4V250-II |
4M |
128k*32 |
3.3V | 250 ns | TBD | TBD | TBD | SOP64 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 9 |
VDEE5M40xS64xx5C250-II |
5M |
128k*40 |
5V | 150 ns | TBD | TBD | TBD | SOP46 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 10 |
VDEE5M40xS64xx5V250-II |
5M |
128k*40 |
3.3V | 250 ns | TBD | TBD | TBD | SOP64 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 11 | VDEE8M08xS40xx8C250-II | 8M | 1M*8 | 5V | 150 ns | TBD | TBD | TBD | SOP40 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 12 | VDEE8M40xS64xx8V250-II | 8M | 1M*8 | 3.3V | 250 ns | TBD | TBD | TBD | SOP40 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 13 | VDEE8M32xS64xx8C250-II | 8M | 256k*32 | 5V | 150 ns | TBD | TBD | TBD | SOP64 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
| 14 | VDEE8M32xS64xx8V250-II | 8M | 256k*32 | 3.3V | 250 ns | TBD | TBD | TBD | SOP64 | E,I,M, | E,B,M,S | EE,IB,MB,MM,MS |
1)、TID:Total Dose（Krads(Si)）
2)、SEL: LET Threshold（Mev.cm2/mg）
3)、SEU:SEU Threshold （Mev.cm2/mg）
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4Mb 8Mb 16Mb 32Mb
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